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La memoria de acceso aleatorio magnetoeléctrica (MeRAM) tiene una eficiencia energética hasta 1.000 veces mayor que las de memorias basadas en tecnologías actuales.
Usando voltaje eléctrico en vez de un flujo de corriente eléctrica, unos investigadores han hecho grandes mejoras a una clase de memoria de ordenador ultrarrápida y de gran capacidad conocida como memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva, o MRAM.
Esta memoria mejorada, que es obra del equipo de Kang L. Wang, Juan G. Alzate y Pedram Khalili de la Universidad de California en Los Ángeles (UCLA), es la mencionada memoria de acceso aleatorio magnetoeléctrica o MeRAM, y tiene un gran potencial para ser usada en futuros chips de memoria para casi cualquier aplicación electrónica, incluyendo smartphones (teléfonos inteligentes), tabletas, ordenadores y microprocesadores en general, así como para el almacenamiento de datos, como los discos de estado sólido usados en ordenadores y en grandes centros de procesamiento de datos.
La ventaja clave de la RAM magnetoeléctrica sobre las tecnologías existentes es que combina un consumo de energía muy bajo con una densidad muy alta, elevadas velocidades de lectura y escritura, y todo ello sin ser volátil, es decir que tiene la capacidad de conservar los datos aunque no se le aplique energía, algo que equipara la RAM magnetoeléctrica a las unidades de disco duro y de memoria flash, salvo que la RAM magnetoeléctrica es mucho más rápida.
Actualmente, la memoria magnética se basa en una tecnología llamada STT, la cual usa una corriente eléctrica para mover electrones a fin de escribir datos en la memoria.
Sin embargo, aunque la STT es superior en muchos aspectos respecto a tecnologías de memoria rivales, su mecanismo de escritura basado en una corriente eléctrica requiere una cantidad relativamente alta de energía, lo que significa que al escribir datos en ella se genera calor. Además, su capacidad de memoria está limitada por cuán cerca unos de otros se pueden colocar físicamente los bits, un proceso que de por sí está limitado por las corrientes eléctricas necesarias para escribir la información. La baja capacidad de bits, a su vez, se traduce en un costo relativamente grande por bit, lo cual limita la gama de aplicaciones de la STT.
Con la RAM magnetoeléctrica, el equipo de la UCLA ha sustituido a la corriente eléctrica de la STT con voltaje para escribir datos en la memoria. Esto elimina la necesidad de mover grandes cantidades de electrones a través de cables y en su lugar se utiliza voltaje (diferencia de potencial eléctrico) para conmutar los bits magnéticos y escribir información en la memoria. Con esto se ha conseguido una memoria que genera mucho menos calor y tiene una eficiencia energética de 10 a 1.000 veces mayor. Y esta memoria puede tener una densidad más de cinco veces mayor, lo que permite almacenar más bits de información en la misma área física, lo cual a su vez también reduce el costo por bit.
Usando voltaje eléctrico en vez de un flujo de corriente eléctrica, unos investigadores han hecho grandes mejoras a una clase de memoria de ordenador ultrarrápida y de gran capacidad conocida como memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva, o MRAM.
Esta memoria mejorada, que es obra del equipo de Kang L. Wang, Juan G. Alzate y Pedram Khalili de la Universidad de California en Los Ángeles (UCLA), es la mencionada memoria de acceso aleatorio magnetoeléctrica o MeRAM, y tiene un gran potencial para ser usada en futuros chips de memoria para casi cualquier aplicación electrónica, incluyendo smartphones (teléfonos inteligentes), tabletas, ordenadores y microprocesadores en general, así como para el almacenamiento de datos, como los discos de estado sólido usados en ordenadores y en grandes centros de procesamiento de datos.
La ventaja clave de la RAM magnetoeléctrica sobre las tecnologías existentes es que combina un consumo de energía muy bajo con una densidad muy alta, elevadas velocidades de lectura y escritura, y todo ello sin ser volátil, es decir que tiene la capacidad de conservar los datos aunque no se le aplique energía, algo que equipara la RAM magnetoeléctrica a las unidades de disco duro y de memoria flash, salvo que la RAM magnetoeléctrica es mucho más rápida.
Actualmente, la memoria magnética se basa en una tecnología llamada STT, la cual usa una corriente eléctrica para mover electrones a fin de escribir datos en la memoria.
Sin embargo, aunque la STT es superior en muchos aspectos respecto a tecnologías de memoria rivales, su mecanismo de escritura basado en una corriente eléctrica requiere una cantidad relativamente alta de energía, lo que significa que al escribir datos en ella se genera calor. Además, su capacidad de memoria está limitada por cuán cerca unos de otros se pueden colocar físicamente los bits, un proceso que de por sí está limitado por las corrientes eléctricas necesarias para escribir la información. La baja capacidad de bits, a su vez, se traduce en un costo relativamente grande por bit, lo cual limita la gama de aplicaciones de la STT.
Con la RAM magnetoeléctrica, el equipo de la UCLA ha sustituido a la corriente eléctrica de la STT con voltaje para escribir datos en la memoria. Esto elimina la necesidad de mover grandes cantidades de electrones a través de cables y en su lugar se utiliza voltaje (diferencia de potencial eléctrico) para conmutar los bits magnéticos y escribir información en la memoria. Con esto se ha conseguido una memoria que genera mucho menos calor y tiene una eficiencia energética de 10 a 1.000 veces mayor. Y esta memoria puede tener una densidad más de cinco veces mayor, lo que permite almacenar más bits de información en la misma área física, lo cual a su vez también reduce el costo por bit.
